发明名称 一种在片状材料表面制备小直径碳纳米管阵列的方法
摘要 一种在片状材料表面制备小直径碳纳米管阵列的方法,属于纳米材料及其制备技术领域。该方法将含活性金属Fe、Co、Ni、Cu和Mo中的一种或几种组分的纳米颗粒以10<sup>8</sup>-10<sup>12</sup>颗/cm<sup>2</sup>的密度分散在石墨片、氧化镁或层状双羟基金属氧化物等片状材料上,然后进行化学气相沉积,在片状表面生长出碳纳米管阵列。在阵列中,碳纳米管的直径小于20nm。该方法操作简单易行,实现了碳纳米管阵列的大批量生产,推进了其工业化应用。
申请公布号 CN101665249A 申请公布日期 2010.03.10
申请号 CN200910092930.3 申请日期 2009.09.11
申请人 清华大学 发明人 魏飞;张强;赵梦强
分类号 C01B31/02(2006.01)I 主分类号 C01B31/02(2006.01)I
代理机构 北京鸿元知识产权代理有限公司 代理人 邸更岩
主权项 1、一种在片状材料表面生长小直径碳纳米管阵列的方法,其特征在于该方法包括下列步骤:1)采用石墨片、氧化镁或层状双羟基金属氧化物片状材料作为载体,在其表面分布有含Fe、Co、Ni、Cu和Mo中一种或几种的纳米颗粒作为生长碳纳米管的催化剂;2)将所述催化剂放入反应器内,通入氢气,或氢气与载气的混合气体,对催化剂在500~800℃的温度下进行还原,还原空速为0.2~2hr-1,;氢气与载气的体积比为1∶0.1~20,所述的载气采用氮气、氩气或它们的混合气体;还原后金属颗粒粒径为1~15nm,密度为108~1012颗/cm2;3)在500~800℃的反应器温度下,通入碳源气体、氢气和载气的混合气体,其中氢气∶碳源气体∶载气的体积比为0~2∶1∶0.1~10,反应过程的空速为1~5000hr-1,气速为0.005~1m/s,即在片状材料表面生长出直径在0.5~20nm的碳纳米管阵列。
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