Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device,申请号KR20030042435-传众专利搜索

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发明名称	Method of forming a dielectric layer in a semiconductor device
摘要
申请公布号	KR100945999(B1)	申请公布日期	2010.03.09
申请号	KR20030042435	申请日期	2003.06.27
申请人		发明人
分类号	H01L21/31	主分类号	H01L21/31
代理机构		代理人
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