METHOD FOR DETERMINING THE EXCESS CHARGE CARRIER LIFETIME IN A SEMICONDUCTOR LAYER

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Überschussladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A) Beaufschlagen der Halbleiterschicht mit Anregungsstrahlung zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Hableiterschicht und B) Messen der Intensität der Lumineszenzstrahlung der Halbleiterschicht mittels eines Detektors. Wesentlich ist, dass die Verfahrensschritte A und B an einer ersten Messprobe, umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Schichtdicke D 1 zur Messung einer ersten Lumineszenzintensität l M,1 und zusätzlich mindestens an einer zweiten Messprobe, umfassend eine zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Schichtdicke D 2 zur Messung einer zweiten Lumineszenzintensität I M,2 durchgeführt werden, wobei die Schichtdicken D 1 und D 2 unterschiedlich sind, die erste und die zweite Halbleiterschicht im Wesentlichen gleiche Überschussladungsträgerlebensdauern und die gleichen Rekombinationseigenschaften an den jeweiligen Oberflächen der Halbleiterschichten aufweisen und die Überschussladungsträgerlebensdauer der Halbleiterschichten durch Vergleich des Verhältnisses der gemessenen Lumineszenzintensitäten mit einem theoretischen Modell bestimmt wird.