Strukturiertes verformtes Substrat zur Herstellung verformter Transistoren mit geringerer Dicke der aktiven Schicht

摘要

In einer verformten SOI-Halbleiterschicht wird die Verspannungsrelaxation, die typischerweise während der Strukturierung von Grabenisolationsstrukturen auftritt, verringert, indem eine geeignete geringere Sollhöhe der aktiven Gebiete ausgewählt wird, wodurch die Herstellung von Transistorelementen auf den aktiven Gebieten mit reduzierter Höhe ermöglicht wird, die dennoch eine signifikante Größe der anfänglichen Verformungskomponente besitzen. Die aktiven Gebiete mit reduzierter Höhe können vorteilhafterweise für die Herstellung vollständig verarmter Feldeffekttransistoren eingesetzt werden.