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Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Rekombinationseigenschaften an einem Messteilbereich einer Messseite einer Halbleiterstruktur, wobei die Halbleiterstruktur eine Basis umfasst und an der Messseite zumindest den Messteilbereich und einen Referenzteilbereich, welcher zur Zu- oder Abführung von Ladungsträgern ausgebildet ist, aufweist und das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: A Erzeugen von Überschussminoritätsladungsträgern zumindest in der Basis der Halbleiterstruktur, B Messen der Überschussladungsträgerdichte in der Basis oder einer zumindest qualitativ mit der Überschussladungsträgerdichte korrespondierenden Größe, wobei zumindest eine erste Messung M1 an einem über dem Referenzteilbereich liegenden ersten Basisbereich und eine zweite Messung M2 an einem über dem Messteilbereich liegenden zweiten Basisbereich durchgeführt wird, C Erzeugen eines Stromflusses I in der Halbleiterstruktur bei einer äußeren Spannung V zwischen dem Referenzteilbereich und einem mit der Basis der Halbleiterstruktur verbundenen Basiskontakt, wobei die äußere Spannung V oder der Strom I derart gewählt wird, dass das Messergebnis der ersten Messung M1 gleich dem Messergebnis der zweiten Messung M2 ist und D Bestimmen der Rekombinationseigenschaften des Messteilbereiches der Halbleiteroberfläche abhängig von der anliegenden äußeren Spannung V und dem zwischen dem Referenzteilbereich und dem Basiskontakt fließenden Strom I.
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