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Es wird eine wiederkonfigurierbare Halbleitervorrichtung beschrieben. Die Halbleitervorrichtung enthält ein Substrat, ein erstes Isoliermaterial, das auf dem Substrat ausgebildet ist, zwei Kanäle, die unterschiedliche Polaritäten aufweisen, mehrere Anschlusselektroden, die auf dem Isoliermaterial ausgebildet sind und gemeinsam an ihren gegenüberliegenden Enden mit den Kanälen gekoppelt sind, ein zweites Isoliermaterial, das auf den Anschlusselektroden ausgebildet ist, und ein Steuergate, das auf dem zweiten Isoliermaterial ausgebildet ist. Die Kanäle weisen eine unterschiedliche Polarität auf, und eine Nanospeicherschicht ist innerhalb des zweiten Isoliermaterials ausgebildet. An das Steuergate wird eine Durchlassvorspannung und eine Sperrvorspannung angelegt, und dann wird die Vorspannung unterbrochen. Die Spannungs-Strom-Kennlinie der Halbleitervorrichtung wird entsprechend einer elektrischen Ladung, die in der Ladungsspeicherschicht erzeugt wird, geändert.
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