发明名称 Erhöhte Drahtverbindungsstabilität auf reaktiven Metalloberflächen eines Halbleiterbauelements durch Einkapselung der Verbindungsstruktur
摘要 <p>Es wird die Drahtverbindungsstruktur aufwendiger Metallisierungssysteme, die beispielsweise auf der Basis von Kupfer hergestellt sind, ohne eine abschließende Aluminiumschicht und ohne Passivierungsschichten für freigelegte Kupferoberflächen bereitgestellt, indem ein Füllmaterial nach dem Drahtverbindungsprozess vorgesehen wird, um damit zumindest die empfindlichen Metalloberflächen und einen Teil des Verbindungsdrahtes einzukapseln. Folglich können deutlich geringere Kosten, geringere Durchlaufzeiten und eine Verringerung der erforderlichen Prozessschritte unabhängig von den Materialien für die Verbindungsdrähte erreicht werden. Somit können integrierte Schaltungen, die ein aufwendiges Metallisierungssystem erfordern, durch Drahtverbindung mit einem entsprechenden Gehäuse oder Trägersubstrat verbunden werden, wobei auch ein erforderliches Maß an Zuverlässigkeit auf der Grundlage eines entsprechenden Füllmaterials zur Einkapselung zumindest der empfindlichen Metalloberflächen erreicht wird.</p>
申请公布号 DE102008045033(A1) 申请公布日期 2010.03.04
申请号 DE20081045033 申请日期 2008.08.29
申请人 ADVANCED MICRO DEVICES INC.;AMD FAB 36 LIMITED LIABILITY COMPANY & CO. KG 发明人 MEYER, ANDREAS;LEHR, MATTHIAS;KUECHENMEISTER, FRANK
分类号 H01L21/60;H01L21/56;H01L23/49 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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