发明名称 Siliziumsolarzelle mit passivierter p-Typ-Oberfläche und Verfahren zur Herstellung derselben
摘要 <p>Es wird eine Silizium-Solarzelle (1) und ein Verfahren zu deren Herstellung vorgeschlagen. Dabei wird eine Aluminium-haltige Schicht auf die Oberfläche eines Siliziumsubstrates (2) aufgebracht, vorzugsweise mittels Siebdruck, und anschließend eingefeuert, so dass sich ein Aluminium-dotierter Siliziumbereich (13) bildet. Überschüssiges Aluminium sowie das Aluminium-Silizium-Eutektikum werden anschließend weggeätzt und außerdem der Aluminium-dotierte Siliziumbereich (13) zurückgeätzt. Anschließend wird die Oberfläche des Aluminium-dotierten Siliziumbereichs (13) mit einer Dielektrikumschicht, vo, passiviert. Auf diese Weise können Solarzellen hohen Wirkungsgrades unter Nutzung bekannter Fertigungstechnologien gefertigt werden.</p>
申请公布号 DE102008028578(A1) 申请公布日期 2010.03.04
申请号 DE20081028578 申请日期 2008.06.16
申请人 INSTITUT FUER SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH 发明人 SCHMIDT, JAN;BOCK, ROBERT
分类号 H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 主分类号 H01L31/18
代理机构 代理人
主权项
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