发明名称 |
Siliziumsolarzelle mit passivierter p-Typ-Oberfläche und Verfahren zur Herstellung derselben |
摘要 |
<p>Es wird eine Silizium-Solarzelle (1) und ein Verfahren zu deren Herstellung vorgeschlagen. Dabei wird eine Aluminium-haltige Schicht auf die Oberfläche eines Siliziumsubstrates (2) aufgebracht, vorzugsweise mittels Siebdruck, und anschließend eingefeuert, so dass sich ein Aluminium-dotierter Siliziumbereich (13) bildet. Überschüssiges Aluminium sowie das Aluminium-Silizium-Eutektikum werden anschließend weggeätzt und außerdem der Aluminium-dotierte Siliziumbereich (13) zurückgeätzt. Anschließend wird die Oberfläche des Aluminium-dotierten Siliziumbereichs (13) mit einer Dielektrikumschicht, vo, passiviert. Auf diese Weise können Solarzellen hohen Wirkungsgrades unter Nutzung bekannter Fertigungstechnologien gefertigt werden.</p> |
申请公布号 |
DE102008028578(A1) |
申请公布日期 |
2010.03.04 |
申请号 |
DE20081028578 |
申请日期 |
2008.06.16 |
申请人 |
INSTITUT FUER SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH |
发明人 |
SCHMIDT, JAN;BOCK, ROBERT |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/068 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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