发明名称 Halbleiterbauelement und Verfahren zum Herstellen desselben
摘要 <p>Ein oder mehrere Ausführungsbeispiele beziehen sich auf ein Halbleiterbauelement, das folgende Merkmale umfasst: eine leitfähige Schicht, die eine Seitenwand umfasst; eine leitfähige Verkappungsschicht, die über der leitfähigen Schicht angeordnet ist und sich einen lateralen Überhang über die Seitenwand der leitfähigen Schicht hinaus lateral erstreckt; und eine leitfähige Durchkontaktierung, die mit der leitfähigen Verkappungsschicht in elektrischem Kontakt steht.</p>
申请公布号 DE102009032263(A1) 申请公布日期 2010.03.04
申请号 DE20091032263 申请日期 2009.07.08
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DICKENSCHEID, WOLFGANG;KOERNER, HEINRICH;MEINHOLD, DIRK
分类号 H01L23/522;H01L21/768 主分类号 H01L23/522
代理机构 代理人
主权项
地址