| 摘要 |
In einer Halbleitervorrichtung ist ein p-Bereich (2, 4) auf einem ersten n-Bereich (1) angeordnet. Ein zweiter n-Bereich (3) ist auf dem p-Bereich (2, 4) angeordnet und von dem ersten n-Bereich (1) durch den p-Bereich (2, 4) getrennt. Eine Gateelektrode (8) dient dazu, einen n-Kanal zwischen dem ersten und zweiten n-Bereich (1, 3) zu bilden. Eine erste Elektrode (6) ist elektrisch mit dem p-Bereich (4) und dem zweiten n-Bereich (3) verbunden. Eine zweite Elektrode (11) ist auf dem ersten n-Bereich so angeordnet, dass sie von dem p-Bereich (2) durch den ersten n-Bereich (1) getrennt ist und zumindest ein Teil von ihr in Kontakt mit dem ersten n-Bereich (1) ist. Die zweite Elektrode (11) besteht aus einem beliebigen Metall oder einer beliebigen Legierung und dient dazu, Löcher in den ersten n-Bereich (1) zu injizieren.
|
