发明名称 |
制作用于1.55微米通信波段硅波导光电转换器的方法 |
摘要 |
本发明公开了一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法,包括:在SOI的顶层硅上刻蚀出直波导和环形波导,使二者相切或保持一定的耦合关系;在环形波导两侧分别注入或扩散V族和III族离子并退火,形成波导侧壁连续的n型和p型掺杂区,在环形波导表层构造横向p-i-n结构,并控制本征区i的宽度;向环形波导表面的本征区i内注入硅离子、银离子或氢离子,并退火,形成深能级缺陷;在n型和p型掺杂区表面、以及SOI材料背面分别蒸发金属电极,形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。利用本发明,使硅波导p-i-n横向结构对1.55微米波段能够进行探测,并利用热效应来调节转换波长。 |
申请公布号 |
CN101661137A |
申请公布日期 |
2010.03.03 |
申请号 |
CN200810118966.X |
申请日期 |
2008.08.27 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
韩培德 |
分类号 |
G02B6/42(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I |
主分类号 |
G02B6/42(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种制作用于1.55微米通信波段的硅波导光电转换器的方法,其特征在于,该方法包括:采用干法刻蚀或湿法腐蚀的方式在绝缘体上硅SOI的顶层硅(11)上刻蚀出直波导(13)和环形波导(1),并使直波导(13)与环形波导(1)相切或保持一定的耦合关系;采用离子注入或扩散的方法,在环形波导(1)一侧注入或扩散V族离子并退火,形成波导侧壁连续的n型掺杂区;在环形波导(1)另一侧注入或扩散III族离子并退火,形成波导侧壁连续的p型掺杂区,从而在环形波导(1)表层上构造横向p-i-n结构,并控制本征区(i)的宽度;采用离子注入方式向环形波导(1)表面的本征区(i)内注入硅离子Si+、银离子Ag+或氢离子H+,并退火,制备深能级缺陷;在n型掺杂区(4)和p型掺杂区(5)表面、以及SOI材料(8)背面分别蒸发金属电极,形成非带隙吸收、深能级电荷遂穿、波长可调的硅波导光电转换器。 |
地址 |
100083北京市海淀区清华东路甲35号 |