| 发明名称 | 发光二极管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是有关于一种发光二极管及其制造方法，其方法包括以下步骤：(A)提供一基板；(B)形成一碳化硅膜层于基板表面；(C)形成一钻石层于碳化硅膜层表面，且移除基板，其中，钻石层包括有一第一表面及一第二表面，第二表面紧邻碳化硅膜层表面；(D)形成一半导体外延层于碳化硅膜层表面；以及(E)形成一第一电极于半导体外延层表面，且形成一金属层于钻石层的第一表面。以此，本发明的制造方法可有效降低制作成本及简化制作流程，以制得散热效率且外延质量佳的发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN100593247C | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200710147945.6 | 申请日期 | 2007.08.27 |
| 申请人 | 中国砂轮企业股份有限公司 | 发明人 | 张孝国;陈志鹏;徐志伟 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 周长兴 |
| 主权项 | 1、一种发光二极管的制造方法，包括以下步骤：(A)提供一基板；(B)形成一碳化硅膜层于该基板表面；(C)形成一钻石层于该碳化硅膜层表面，且移除该基板；其中，该钻石层包括有一第一表面、及一第二表面，该第二表面紧邻该碳化硅膜层表面；(D)利用外延成长方式形成一半导体外延层于该碳化硅膜层表面，其中，该半导体外延层包括依序形成的一第一电性半导体层、一活性层、及一第二电性半导体层；以及(E)形成一第一电极于该半导体外延层表面，且形成一金属层于该钻石层的该第一表面。 | ||
| 地址 | 台湾省台北市延平南路10号 | ||