| 发明名称 | 钙钛矿类氧化物薄膜复合器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一系列钙钛矿类氧化物薄膜复合器件，是在任意一种现有的衬底上，利用常规的薄膜制备方法和相应的微加工工艺制备而成。其核心结构均包括：一钙钛矿类氧化物层，所述的钙钛矿类氧化物为R<sub>E1-x</sub>T<sub>Mx</sub>MnO<sub>3</sub>型氧化物，其中，R<sub>E</sub>为La或/和Pr、Nd、或Y；T<sub>M</sub>为Sr或Ca；0＜x＜1.0。这些复合器件充分利用了钙钛矿类氧化物材料特有的电流/电压诱导的电阻效应，使得本发明提供的钙钛矿类氧化物薄膜复合器件的性能优良，在室温和一定的外加电流或电压作用下，可以呈现出很大的电阻相对变化量。完全符合室温下各种传感器、自旋阀开关、随机存取存储器存储单元和其它自旋电子学器件应用的需要，在实际中有广阔的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN100593214C | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200510011815.0 | 申请日期 | 2005.05.27 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 丰家峰;赵昆;赵见高;吕惠宾;韩秀峰;詹文山 |
| 分类号 | G11C11/14(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I;G11B5/31(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 高存秀 |
| 主权项 | 1、一种钙钛矿类氧化物薄膜复合器件，其核心结构包括一衬底，及在所述衬底上沉积的厚为0.5～2000nm的钙钛矿类氧化物层；其特征在于，所述钙钛矿类氧化物层刻蚀成条形，所述条形两端为引线引出端，钙钛矿类氧化物层的中间部分作为柱状结区；所述的钙钛矿类氧化物为RE1-xTMxMnO3型氧化物，其中，RE包括：La或/和Pr、Nd、或Y；TM为Sr或Ca；0＜x＜1.0。 | ||
| 地址 | 100080北京市海淀区中关村南三街8号 | ||