导电通孔的形成

摘要

一种方法涉及使用沉积技术将第一导电材料沉积到在材料中形成的通孔中，该通孔在该材料的表面处具有比大约10μm小的直径和比大约50μm大的深度，以在通孔内形成籽晶层，然后通过用第二导电材料电镀敷该籽晶层而无需在形成该通孔和产生该增厚层之间在该通孔内执行任何活化处理，在该籽晶层的顶部产生增厚层，并且然后将导电金属电镀到该增厚层上直到在该通孔内被该增厚层所限定的体积被盖导电金属填充。

主权项

1.一种按顺序执行的方法，其特征在于，所述方法包括：a)使用沉积技术，将第一导电材料沉积到在材料中形成的通孔中，所述通孔在所述材料的表面具有比大约15μm小的直径和比大约50μm大的深度，以便在所述通孔内形成籽晶层；b)然后，通过用第二导电材料无电镀敷所述籽晶层在所述籽晶层的顶部产生增厚层，而无需在形成所述通孔和产生所述增厚层之间在所述通孔内执行任何活化处理；c)然后，将导体金属电镀敷到所述增厚层上直到在所述通孔内被所述增厚层限定的体积被所述导体金属填充满。