| 发明名称 | 应力增强的晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种应力增强之MOS晶体管(30)及其制造方法。提供绝缘层上半导体(semiconductor-on-insulator)结构(36)，该结构包含具有第一表面(37)的半导体层(38)。引发应变外延层(strain-inducing epitaxiallayer)(50)系覆被沉积(blanket deposit)于该第一表面(37)上，且之后可被用来产生位于该第一表面(37)上的源极区域(51)和漏极区域(52)。 | ||
| 申请公布号 | CN101663761A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200780046220.6 | 申请日期 | 2007.12.13 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | I·佩多斯;R·帕尔 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程 伟;王锦阳 |
| 主权项 | 1、一种制造半导体器件(30)的方法，该方法包括下列步骤：提供绝缘层上半导体结构(36)，该结构包括：衬底(42)、具有第一表面(37)及第二表面(39)的半导体层(38)、以及设于该衬底(42)与该半导体层(38)的该第二表面(39)之间的绝缘层；以及在该第一表面(37)上，覆被生长引发应变外延层(50)。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||