带隧穿氧化层的存储器件制备中隧穿氧化层的制备方法

摘要

本发明公开了一种带隧穿氧化层的存储器器件制备中隧穿氧化层的制备方法，其通过使用可显影的抗反射层取代现有工艺中的普通抗反射层，使制造工艺大幅度简化，降低成本。同时由于无干法刻蚀过程，对于光刻胶的厚度无要求，因此可以大大降低所使用的光刻胶厚度，降低后续湿法刻蚀时隧穿氧化层的高宽比，提高湿法工艺对小尺寸的隧穿氧化孔的刻蚀能力。

主权项

1、一种带隧穿氧化层的存储器器件制备中隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1)衬底氧化生成第一层氧化层；2)在第一层氧化层上淀积可显影的抗反射材料作为衬底反射层；3)涂光刻胶，光刻显影后，隧穿氧化层区域的光刻胶和抗反射层被去除；4)湿法刻蚀第一层氧化层至衬底，所述隧穿氧化层区域被去除，后去除剩余的光刻胶和可显影的抗反射层；5)进行第二次氧化处理，形成栅氧化层，且在所述隧穿氧化层区域生成隧穿氧化层。