| 发明名称 | 低电阻率钌层的低温化学气相沉积 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于沉积低电阻率钌金属层(440、460)的低温化学气相沉积工艺，这种低电阻率钌金属层(440、460)可以在Cu金属化方案中用作阻挡/晶种层。该方法(300)包括在沉积系统(1、100)的处理室(10、110)中提供衬底(25、125)，形成包含羰基钌前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，以及将衬底(25、125)暴露于处理气体以通过热化学气相沉积工艺在衬底(25、125)上沉积低电阻率钌金属层(440、460)，其中衬底(25、125)在所述暴露期间被维持在约100℃和约300℃之间的温度。还提供了包含钌金属层(440、460)的半导体器件，钌金属层(440、460)形成在包含一个或多个过孔或沟槽(430)或其组合的图案化衬底(402、404、406、408)上。 | ||
| 申请公布号 | CN100593236C | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200680010435.8 | 申请日期 | 2006.03.23 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 铃木健二 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I;C23C16/16(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李 剑 |
| 主权项 | 1.一种在衬底上沉积钌金属层的低温方法，该方法包括：在沉积系统的处理室中提供衬底；形成包含Ru3(CO)12前驱体蒸汽和含CO气体的处理气体，并将所述处理气体传输到所述处理室；以及将所述衬底暴露于所述处理气体以通过热化学气相沉积工艺在所述衬底上沉积低电阻率钌金属层，其中所述衬底在所述暴露期间被维持在100℃和300℃之间的温度。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||