| 发明名称 | 基于红外光学干涉法的半导体晶圆膜厚检测装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种基于红外光学干涉法的半导体晶圆膜厚检测装置，涉及半导体晶圆的化学机械抛光设备技术领域。包括晶圆承载移动机构、激光器总成和数据检测控制电路，其特征在于所述的激光器总成为位置可移动式激光器总成，晶圆承载移动机构为晶圆承载转动机构。采用该发明装置能够对晶圆的表面进行多点检测从而了解晶圆表面膜层的厚度和分布情况，以确定下一步抛光过程的工艺参数，从而完善了抛光工艺过程，提高产品质量。特别适用于半导体晶圆的化学机械抛光设备上。 | ||
| 申请公布号 | CN101660896A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200910075476.0 | 申请日期 | 2009.09.23 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第四十五研究所 | 发明人 | 吴旭;陈波;王东辉;柳滨 |
| 分类号 | G01B11/06(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | G01B11/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄新世纪专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 张贰群 |
| 主权项 | 1、一种基于红外光学干涉法的半导体晶圆膜厚检测装置，包括晶圆承载移动机构、激光器总成和数据检测控制电路，其特征在于所述的激光器总成为位置可移动式激光器总成，晶圆承载移动机构为晶圆承载转动机构。 | ||
| 地址 | 065201河北省三河市燕郊经济开发区海油大街20号 | ||