| 发明名称 | 电化学器件及在电化学器件的TiO<sub>2</sub>层表面生成0H自由基的方法 | ||
| 摘要 | 电化学器件，其包括：(a)半导体层，其中该半导体是硅或碳化硅，且其中该层具有1至1000微米的厚度；(b)在所述半导体层上的TiO<sub>2</sub>层，其中该层可以包括碱土金属氧化物MO，其最多可达使得该层是MTiO<sub>3</sub>的量，且其中该层具有5纳米至1微米的厚度；(c)在TiO<sub>2</sub>层上的惰性金属栅，该栅排列为能够施加跨越TiO<sub>2</sub>层的电场；和(d)在所述半导体层上的欧姆接触。 | ||
| 申请公布号 | CN100593229C | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200580033751.2 | 申请日期 | 2005.09.02 |
| 申请人 | GEN-X动力公司 | 发明人 | P·A·克里斯滕森;N·G·赖特;T·A·埃杰顿 |
| 分类号 | H01L21/18(2006.01)I;C02F1/467(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/18(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 林柏楠;刘金辉 |
| 主权项 | 1.电化学器件，其包括：(a)半导体层，其中该半导体是硅或碳化硅，且其中该层具有1至1000微米的厚度；(b)在所述半导体层上的TiO2层，且其中该层具有5纳米至1微米的厚度；(c)在TiO2层上的惰性金属栅，该栅排列为能够施加跨越TiO2层的电场；和(d)在所述半导体层上的欧姆接触。 | ||
| 地址 | 库克群岛（新）拉罗汤加岛 | ||