半导体装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。该制造方法包括下列步骤：首先，在衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口。接着，形成材料层，此材料层覆盖隔离结构，并填满开口，而位于开口上方的材料层中具有凹陷。之后，在材料层上形成共形的介电层，再进行化学机械抛光工艺，以移除介电层以及开口以外的材料层。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，包括：于衬底中形成多个凸状结构，且在相邻两个凸状结构之间具有开口；形成材料层，且该材料层覆盖该多个凸状结构，并填满该多个开口，而位于各该开口上方的该材料层中每个具有凹陷；于该材料层上形成共形的介电层；以及进行化学机械抛光工艺，以移除该介电层以及该多个开口以外的该材料层。