| 发明名称 | 发光二极管及其减少极化中间层 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种发光二极管及其减少极化中间层，其中发光二极管在电子阻碍层与活性层之间形成由Al<sub>x</sub>In<sub>y</sub>Ga<sub>1-x-y</sub>N材料所组成的减少极化中间层，其中0≤x≤1，0≤y≤1。本发明的发光二极管不会降低发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101661978A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200810147282.2 | 申请日期 | 2008.08.26 |
| 申请人 | 先进开发光电股份有限公司 | 发明人 | 林文禹;黄世晟;涂博闵;叶颖超;吴芃逸;詹世雄 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种发光二极管，包含：基板；第一传导层，位于该基板上；活性层，位于该第一传导层上；减少极化中间层，位于该活性层上；电子阻碍层，位于该减少极化中间层上，其中该减少极化中间层减少该电子阻碍层与该活性层因晶格不匹配所产生的压电极化导致的能带倾斜，以降低载子溢流机率；以及第二传导层，位于该减少极化中间层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||