多芯片堆栈封装方法

摘要

一种多芯片堆栈封装方法，包括：一导线架，此导线架由复数个内引脚与复数个外引脚所构成，内引脚包括有复数个平行的第一内引脚群与平行的第二内引脚群，于第一内引脚群与第二内引脚群的接近区域，各配置一散热鳍片；固接一第一芯片在导线架下表面，具有主动面且配置有复数个第一焊垫；形成复数条第一金属导线以电性连接第一芯片上的第一焊垫及第一内引脚群及第二内引脚群；固接一第二芯片在导线架上表面，具有一主动面且配置有复数个第二焊垫。

主权项

1、一种多芯片堆栈封装方法，包括：提供一导线架，其具有一上表面及一下表面，由复数个内引脚与复数个外引脚所构成，该些内引脚包括有复数个平行的第一内引脚群与平行的第二内引脚群，且该些第一内引脚群与该些第二内引脚群的末端以一间隔相对排列的，其中于该些第一内引脚群与该些第二内引脚群的接近中央区域，各配置一散热鳍片；固接一第一芯片，将该第一芯片固接于该导线架的该下表面，并使该第一芯片的主动面上接近中央区域所配置的复数个第一焊垫曝露于该些第一内引脚群与该些第二内引脚群末端的该间隔之间；形成复数条第一金属导线，将该第一芯片的该些第一焊垫电性连接至该些第一内引脚群及该些第二内引脚群；形成金属间隔组件，将至少一对金属间隔组件形成在该导线架的散热鳍片上，其中该金属间隔组件的高度大于该些第一金属导线的最大弧高；形成一高分子材料层，充填于该第一内引脚群与该第二内引脚群末端的间隔区中，并覆盖该第一芯片中的该第一焊垫以及该复数条第一金属导线；固接一第二芯片，该第二芯片具有一主动面及一相对该主动面的背面，将该背面固接于该高分子材料层之上并与该金属间隔组件接触，且该第二芯片的该主动面上接近中央区域配置有复数个第二焊垫；形成复数条第二金属导线，将该第二芯片的该主动面上的该些第二焊垫电性连接至该些第一内引脚群及该些第二内引脚群的上表面；及注入一模流以形成一封装体，以包覆该第一芯片、该些第一金属导线、该第二芯片、该些第二金属导线、该些第一内引脚群及该些第二内引脚群，且曝露出该复数个外引脚。