发明名称 |
应用于有机电路的双金属电极结构及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构,该结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜和沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。对于顶接触式器件结构,该第一层金属薄膜为高功函数金属薄膜,该第二层金属薄膜为廉价金属薄膜,该第一层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触,该第二层金属薄膜与互连线接触。对于底接触式器件结构,该第一层金属薄膜为廉价金属薄膜,该第二层金属薄膜为高功函数金属薄膜,该第二层金属薄膜与有机半导体薄膜直接接触,且该第二层金属薄膜与互连线接触。本发明同时公开了一种应用于有机电路的双金属电极结构的制备方法。利用本发明,能够在不降低器件性能前提下多方面降低成本,推动有机电路的实用化。 |
申请公布号 |
CN101661993A |
申请公布日期 |
2010.03.03 |
申请号 |
CN200810119085.X |
申请日期 |
2008.08.28 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
商立伟;刘明;涂德钰;甄丽娟;刘舸;刘兴华 |
分类号 |
H01L51/10(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L51/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/10(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
周国城 |
主权项 |
1、一种应用于有机电路的双金属电极结构,其特征在于,该双金属电极结构由有机半导体薄膜、第一层金属薄膜,以及沉积在该第一层金属薄膜上的第二层金属薄膜构成。 |
地址 |
100029北京市朝阳区北土城西路3号 |