| 发明名称 | 固态图像传感器 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种固态图像传感器(1)，包括：成像器件晶片(2A)；形成于成像器件晶片(2A)上的多个成像器件(3)；隔离物(5)，环绕成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并通过粘合剂(7)与成像器件晶片(2A)接合；透明保护构件(4)，覆盖成像器件晶片(2A)上的成像器件(3)，并附着在隔离物(5)上；以及多个静电放电保护器件(10A)，形成于成像器件晶片(2A)上，所述静电放电保护器件(10A)位于隔离物(5)下方，每个静电放电保护器件(10A)具有扩散层(12、13)以及扩散层(12、13)之间的阱层(11)，所述阱层(11)具有沟道阻断物(20)。 | ||
| 申请公布号 | CN101663756A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200780036182.6 | 申请日期 | 2007.09.27 |
| 申请人 | 富士胶片株式会社;富士胶片弗陀尼克斯有限公司 | 发明人 | 高崎康介;家坂守;若生秀树 |
| 分类号 | H01L27/14(2006.01)I;H01L23/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 朱进桂 |
| 主权项 | 1.一种固态图像传感器，包括：成像器件晶片；形成于成像器件晶片上的多个成像器件；隔离物，环绕成像器件晶片上的成像器件，并通过粘合剂与成像器件晶片接合；透明保护构件，覆盖成像器件晶片上的成像器件，并附着在隔离物上；以及多个静电放电保护器件，形成于成像器件晶片上，所述静电放电保护器件位于隔离物下方，每个静电放电保护器件具有扩散层以及扩散层之间的阱层，所述阱层具有沟道阻断物。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||