采用大马士革工艺制备金属栅极和接触孔的方法

摘要

本发明公开了一种采用大马士革工艺制备金属栅极和接触孔的方法，其采用金属栅极取代传统工艺中的多晶硅栅极，且通过两次光刻和刻蚀，以及湿法可显影的填充材料实现了采用大马士革工艺制备金属栅极中的接触孔和金属连线，简化了制备流程。

主权项

1、一种采用大马士革工艺制备金属栅极和接触孔的方法，在硅片上完成多晶硅栅极制备之后，其特征在于，包括如下步骤：(1)制备栅极侧墙，之后进行源漏离子注入形成源漏区，然后在源漏区硅表面上形成金属硅化物；(2)在硅片上淀积第一介质层，至覆盖多晶硅栅极台阶；(3)采用化学机械研磨法研磨第一介质层材料至多晶硅栅极上表面，后在第一介质层上淀积一第二介质层；(4)接着在所述第二介质层上淀积第三介质层，所述第三介质层的材料与所述第一介质层的材料相同；(5)进行第一次光刻工艺曝出源漏极接触孔和栅极接触孔的位置，之后刻蚀曝出的第三介质层至第一介质层表面，后去除光刻胶并清洗；(6)用湿法可显影的填充材料涂覆硅片以填充所述步骤五中刻蚀出的间隙；(7)用显影液显影步骤6中填充后的硅片，去除第三介质层表面的填充材料形成平整的硅片表面；(8)进行第二次光刻工艺曝出金属线的位置，接着刻蚀去除湿法可显影的填充材料；(9)以光刻后形成的光刻胶为掩膜进行干法刻蚀，在所述步骤五的间隙处刻蚀所述第二介质层和第一介质层至金属硅化物表面，在曝出的金属线的位置处刻蚀第三介质层至第二介质层表面，同时在栅极接触孔处依次刻蚀第二介质层和多晶硅至栅氧表面，分别形成金属线区域、源漏极接触孔和栅极区域以及栅极接触孔；(10)去除硅片上的光刻胶，后用常规工艺清洗硅片；(11)在硅片表面淀积金属栅极材料，使栅氧表面和源漏极接触孔底部覆盖有金属栅极材料；(12)淀积互连金属，填充所刻蚀出的金属线区域、栅极区域、栅极接触孔和源漏极接触孔，后采用CMP法平整化去除高于第三介质层上的金属栅极材料和互连金属。