| 发明名称 | 基板处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及基板处理方法，在处理对象基板的掩模膜或中间膜上形成满足半导体装置小型化要求的尺寸的用于对蚀刻对象膜进行转印的开口部。该基板处理方法用于处理基板(W)，基板(W)依次层叠有SiN层(51)、反射防止膜(52)和光致抗蚀剂膜(53)，光致抗蚀剂膜(53)具有使反射防止膜(52)的一部分露出的开口部(54)，该方法具有收缩蚀刻步骤，该收缩蚀刻步骤为，通过由用通式C<sub>x</sub>H<sub>y</sub>F<sub>z</sub>(x、y、z是正整数)表示的沉积性气体例如CH<sub>3</sub>F气体和SF<sub>6</sub>气体的混合气体生成的等离子体使沉积物堆积在光致抗蚀剂膜(53)的开口部(54)的侧壁面，使开口部的开口宽度缩小，并蚀刻反射防止膜(52)，在反射防止膜(52)形成与缩小后的开口部(54)对应的开口部。 | ||
| 申请公布号 | CN101661228A | 申请公布日期 | 2010.03.03 |
| 申请号 | CN200910168595.0 | 申请日期 | 2009.08.25 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 曾根隆;西村荣一 |
| 分类号 | G03F7/36(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙 淳 |
| 主权项 | 1.一种处理基板的基板处理方法，该基板依次层叠有处理对象层、中间层和掩模层，所述掩模层具有使所述中间层的一部分露出的开口部，所述基板处理方法的特征在于：具有收缩蚀刻步骤，所述收缩蚀刻步骤为，通过由用通式CxHyFz表示的沉积性气体和SF6气体的混合气体生成的等离子体，使沉积物堆积在所述掩模层的所述开口部的侧壁面，使所述开口部的开口宽度缩小，并且蚀刻所述中间层，形成与所述缩小后的掩模层的开口部对应的开口部，其中，x、y、z是正整数。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||