一种砷化镓晶片抛光后的清洗方法及甩干机

摘要

一种砷化镓晶片的清洗方法，它包括以下步骤：(1)超声波清洗：(2)浓硫酸清洗：抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98％)中清洗，然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98％)中清洗，清洗完后用去离子水冲洗；(3)碱液清洗：(4)将抛光片甩干；(5)在大于等于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。本发明的优点是：成本低，简单实用，可操作性强，能有效清理晶片表面的蜡点、尘埃、脏点，更能有效的清理抛光残留在晶片表面的镓氧化物、砷氧化物和一些对后续工艺有害的金属，从而获得高质量的砷化镓(GaAs)表面，达到“开盒即用”的要求。

主权项

1、一种砷化镓晶片的清洗方法，其特征在于：它包括以下步骤：(1)、超声波清洗：①配制清洗液，其中，超声波清洗剂与去离子水的用量体积比为(1～5)∶(6～10)，配制时需搅拌，并加温至70-100℃，②超声波清洗，将抛光片放入超声波清洗机中清洗，③用去离子水冲洗；(2)、浓硫酸清洗：①然后将抛光片放入70-100℃的浓硫酸(98％)中清洗，②然后迅速提出放入常温的浓硫酸(98％)中清洗，③清洗完后用去离子水冲洗；(3)、碱液清洗：①配制碱液，其碱液的体积比为NH4OH∶H2O2∶H2O＝(1～5)∶(1～5)∶(6～12)，其中NH4OH原始的浓度是25％(以NH3计)，H2O2的原始浓度是30％，搅拌，用冰水降温至0-5℃，②清洗完后用去离子水冲洗；(4)、将抛光片甩干；(5)、在大于等于8000lux光强的卤光灯下检测抛光片。