发明名称 使用自旋转移力矩磁阻装置的软件可编程逻辑
摘要 本发明揭示用于使用自旋转移力矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)技术的软件可编程逻辑的系统、电路及方法。磁性隧道结(MTJ)存储元件可形成为输入平面及输出平面。所述输入平面及输出平面可耦合在一起以形成允许实现逻辑功能的复阵列。
申请公布号 CN101663816A 申请公布日期 2010.03.03
申请号 CN200880009921.7 申请日期 2008.03.31
申请人 高通股份有限公司 发明人 卢·G·蔡-奥恩;马修·迈克尔·诺瓦克;升·H·康
分类号 H03K19/177(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I 主分类号 H03K19/177(2006.01)I
代理机构 北京律盟知识产权代理有限责任公司 代理人 刘国伟
主权项 1、一种可编程逻辑阵列,其包括:多个自旋转移力矩磁性隧道结(MTJ)装置,其被布置于阵列中;及多个可编程源,其耦合到对应MTJ装置以用于改变每一MTJ装置的自由层的极性;其中第一组所述MTJ装置被布置成输入平面,其中第二组所述MTJ装置被布置成输出平面,且其中所述输入平面及所述输出平面经组合以基于每一MTJ装置的所述自由层的相对极性形成逻辑功能。
地址 美国加利福尼亚州