填充内连线介层窗的铝基质导体及其应用

摘要

提供一种填充内连线介层窗的铝基质导体，及藉由此铝基质导体所形成的半导体元件。半导体元件包括有第一介电层。其中介电层具有截面面积实质小于1μm2的开口形成于其中，以及填充于开口中的物理气相沉积铝基质导体。

主权项

一种半导体元件的制造方法，包括：提供一第一介电层，该介电层具有复数个开口贯穿该介电层；形成复数个第一插塞部，其中每一该些第一插塞部系形成于位在该第一介电层中的该些开口的其中一者中，包括沉积包含有铝的一第一金属至位于第一介电层中的每一该些开口，其中该第一金属具有一第一晶粒尺寸；以及形成一第一内连线部分，包括在每一该些第一插塞部上，沉积包括有铝的一第二金属，其中该第二金属具有一第二晶粒尺寸，且该第一晶例尺寸系实质小于该第二晶例尺寸。