微电子装置之形成方法

摘要

本发明的实施例系提出具有介于第一与第二层间介电(ILD)层之间的硬掩罩层之装置。此硬掩罩层具有约等于第一及/或第二ILD层之k值。

主权项

一种微电子装置之形成方法，包括：沈积具有低于约3.2之介电常数值之第一层间介电层；沈积具有低于约3.2之介电常数值的第一硬掩罩层于该第一层间介电层上，该第一硬掩罩层实质上系无氢的；形成开口于该第一硬掩罩层中，以曝露该第一层间介电层；形成第一渠沟于该第一层间介电层中；沈积第一导电迹线于该第一渠沟中；以及沈积第二层间介电层于该第一导电迹线及该第一硬掩罩层上。