发明名称 积层电容器
摘要 一种积层电容器,能在谋求低ESL及高ESR之同时,将共振频率容易地设定于高频侧或低频侧。于电容器本体8,系将第1电容器部11与第2电容器部12配置成排列于积层方向。使第1电容器部11之共振频率高于第2电容器部12之共振频率,即可使第1电容器部11有助于降低ESL,且使第2电容器部12每一层之ESR高于第1电容器部11每一层之ESR,即可使第2电容器部12有助于提高ESR。进一步地,使第1电容器部11之合成ESR较第2电容器部12之合成ESR低或较高。
申请公布号 TWI321330 申请公布日期 2010.03.01
申请号 TW095139505 申请日期 2006.10.26
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 高岛宽和;上冈浩;高木义一
分类号 H01G4/30;H01G4/38 主分类号 H01G4/30
代理机构 代理人 桂齐恒;阎启泰
主权项 一种积层电容器,具备电容器本体,该电容器本体具有以积层之复数层介电体层构成的积层构造;该电容器本体,构成第1及第2电容器部;该第1电容器部,包含至少一对透过既定该介电体层彼此对向之第1及第2内部电极,以形成静电容;该第2电容器部,包含至少一对透过既定该介电体层彼此对向之第3及第4内部电极,以形成静电容;该第1电容器部之共振频率,较该第2电容器部之共振频率高;由该第2电容器部所含之一组该第3及第4内部电极及其间之该介电体层所赋予之每一层的等效串联电阻,较由该第1电容器部所含之一组该第1及第2内部电极及其间之该介电体层所赋予之每一层的等效串联电阻高;且由该第1电容器部所含之所有该第1及第2内部电极及该等间之该介电体层所赋予的合成等效串联电阻,较由该第2电容器部所含之所有该第3及第4内部电极及该等间之该介电体层所赋予的合成等效串联电阻低。
地址 日本
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