| 摘要 |
Un aparato para tratar una oblea de semiconductor, que comprende: una cámara (74) de tratamiento; un módulo (110) de impurificación a partir de plasma que incluye una cámara (120) de impurificación a partir de plasma que es accesible desde la cámara (74) de tratamiento; un posicionador de oblea para situar en posición una oblea de semiconductor en dicha cámara de impurificación a partir de plasma en un modo de impurificación a partir de plasma, cuyo aparato comprende, además, un módulo (140) de implantación iónica en línea de haz para generar un haz de iones y dirigir el haz de iones a la cámara de tratamiento, y el posicionador de oblea está dispuesto, además, para situar en posición la oblea de semiconductor en la trayectoria del haz de iones en un modo de implantación en línea de haz, cuyo posicionador de oblea comprende una platina (76) para retener la oblea y un posicionador (78) de platina para situar en posición la platina (76), y en el que el módulo (110) de impurificación a partir de plasma comprende, además, un ánodo (170) posicionado dentro de la cámara de impurificación a partir de plasma y una fuente (132) de impulsos acoplada entre el ánodo (170) y la platina (76).
|
