Halbleitervorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung

摘要

Eine oder mehrere Ausführungsformen betreffen einen Feldeffekttransistor mit: einem Substrat; einem Gatestapel, der über dem Substrat angeordnet ist, wobei der Gatestapel eine Gateelektrode aufweist, die über einem Gatedielektrikum liegt; und ein Seitenwandabstandhalter kann über dem Substrat angeordnet sein und vom Gatestapel seitlich angeordnet sein, wobei der Abstandhalter ein Polysiliziummaterial enthält.