发明名称 Verfahren und Schaltung zum Schützen eines Mosfet
摘要 Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren und eine entsprechende Schaltung zum Schützen eines Leistungs-MOSFET vor Überlastung, wenn der MOSFET abgeschaltet wird, wobei der Strom durch den MOSFET mit einem Referenzsignal verglichen wird, das von der Zeit abhängt, seit der der MOSFET angeschaltet ist.
申请公布号 DE102009033073(A1) 申请公布日期 2010.02.25
申请号 DE200910033073 申请日期 2009.07.03
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG 发明人 DEML, CHRISTOPH
分类号 H03K17/082 主分类号 H03K17/082
代理机构 代理人
主权项
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