| 摘要 |
<p>Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung eines Einkristalls aus Halbleitermaterial, umfassend das Schmelzen von Granulat aus Halbleitermaterial mittels einer ersten Induktionsheizspule auf einem Teller mit einem aus dem Halbleitermaterial bestehendem Ablaufrohr, das Bilden einer Schmelze aus geschmolzenem Granulat, die sich vom Ablaufrohr in Form eines Schmelzenhalses und einer Schmelzenkuppe bis zu einer Phasengrenze erstreckt, das Zuführen von Wärme zur Schmelze mittels einer zweiten Induktionsheizspule, die eine Öffnung aufweist, durch die der Schmelzenhals hindurchführt, das Kristallisieren der Schmelze an der Phasengrenze, und das Zuführen eines kühlenden Gases zum Ablaufrohr und zum Schmelzenhals, um die axiale Position einer Grenzfläche zwischen dem Ablaufrohr und dem Schmelzenhals zu regeln. Gegenstand der Erfindung ist auch eine Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.</p> |
