PROCEDE DE PREPARATION D'UN SUBSTRAT EN ZNO EN PARTIE OU EN TOTALITE SEMI-ISOLANT OU DOPE DE TYPE P, SUBSTRATS OBTENUS, ET DISPOSITIFS ELECTRONIQUES, ELECTROOPTIQUES OU OPTOELECTRONIQUES LES COMPRENANT

摘要

Procédé de préparation d'un substrat en ZnO en partie ou en totalité semi-isolant ou dopé de type p, à partir d'un substrat en ZnO dopé de type n, dans lequel on met en contact le substrat en ZnO dopé de type n avec un sel fondu anhydre choisi parmi le nitrate de sodium, le nitrate de lithium, le nitrate de potassium et le nitrate de rubidium fondus anhydres. Substrat notamment sous la forme d'une couche mince ou de nanofils préparé par ce procédé ; du ZnO ou du GaN pouvant en outre être épitaxié sur ce substrat. Dispositif électronique, optoélectronique ou électrooptique tel qu'une diode électroluminescente (DEL) comprenant ce substrat.