OPTICALLY PUMPED VCSEL WITH A MULTIPLICITY OF ACTIVE AREAS FOR INTENSITY REDUCTION IN THE ANTI-RESONANT RESONATOR

摘要

In mindestens einer Ausführungsform des oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchips (1) umfasst dieser eine erste Schichtenfolge (2), die für eine Primärstrahlung (P) mit einer Primärwellenlänge reflektierend wirkt. Außerdem umfasst der Halbleiterlaserchip (1) einen Schichtenstapel (4) mit mindestens einem aktiven Bereich (5), wobei der Schichtenstapel (4) an einer Hauptseite der ersten Schichtenfolge (2) aufgebracht und dazu ausgestaltet ist, die Primärstrahlung (P) zu emittieren. Eine Dicke (D) des Schichtenstapels (4) ist so gestaltet, dass dieser nicht-resonant bezüglich der Primärwellenlänge ist. In einem solchen oberflächenemittierenden Halbleiterlaserchip (1) treten nur geringe optische Verluste innerhalb des Halbleiterlaserchips (1) auf.