用减少的相邻场误差编程非易失性存储器及方法

摘要

本发明揭示一种存储装置及其方法，其容许并行地编程及检测复数个存储单元，以使由邻近单元的场的耦合所引起的误差最小化并提高性能。该存储装置及方法使所述复数个存储单元由同一字线链接，且一读取/写入电路以一邻接方式耦合至每一存储单元。由此，将一存储单元及其邻近单元一同编程，且在编程及后续读取期间每一存储单元相对于其邻近单元的场环境的变化变小。与其中偶数列上的单元与奇数列中的单元独立编程的传统架构及方法相比，此会提高性能并减少由邻近单元的场的耦合引起的误差。

主权项

1、一种对复数个非易失性存储单元进行并行编程的方法，其中由来自邻近存储单元的干扰电场所引起的误差得到减少，所述方法包括：(a)将所述复数个存储单元组织成一页由一字线链接的邻接存储单元；(b)将一读取/写入电路耦合至所述页邻接存储单元中的每一存储单元；(c)并行检测所述每一存储单元，以验证其相对于一将要编程的存储单元的存储状态；(d)禁止所述页中已得到验证的所述每一存储单元；(e)施加一编程脉冲至所述页邻接存储单元；及(f)重复步骤(c)-(e)，直至所述页中所有存储单元均已得到验证。