发明名称 建立场效应管不匹配模型的方法
摘要 本发明公开了一种建立场效应管不匹配模型的方法,通过函数拟和测量得到的场效应管间的不匹配曲线,并逐步将偏置电压、尺寸和温度作为函数变量增加到函数中,最终得到场效应管的不匹配程度随偏置电压、尺寸和温度变化的关系来作为场效应管的不匹配模型,所以能够较精确地衡量场效应管不匹配程度。
申请公布号 CN100590627C 申请公布日期 2010.02.17
申请号 CN200710039479.X 申请日期 2007.04.13
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 苏鼎杰;何佳;邵芳;黄俊诚
分类号 G06F17/50(2006.01)I 主分类号 G06F17/50(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 逯长明
主权项 1.一种建立场效应管不匹配模型的方法,其特征在于,包括下列步骤,对两个设计尺寸相同的场效应管,同时挑选第一偏置电压参数和第二偏置电压参数作为变量,所述第一偏置电压参数为场效应管的栅极-源极电压,第二偏置电压参数为场效应管的基极-源极电压;至少针对三个第一偏置电压参数和至少三个第二偏置电压参数的所有组合值,测量对应的场效应管的漏极电流;比较两个场效应管的漏极电流,获得两个场效应管的漏极电流差值百分比,所述漏极电流差值百分比由公式<img file="C2007100394790002C1.GIF" wi="474" he="139" />得到,其中I<sub>d1</sub>和I<sub>d2</sub>分别表示两个场效应管的漏极电流;将漏极电流差值百分比作为第一层一元二次函数的值,将所述第一偏置电压参数作为第一层一元二次函数变量,得到至少三个一元二次函数的二次项系数、一次项系数和常数项的值;分别将得到的二次项系数、一次项系数和常系数作为第二层一元一次函数的值,将场效应管的尺寸参数作为一元一次函数y=Dx的变量,得到至少三个对应的一元一次函数的斜率,所述尺寸参数为1/W<sup>m</sup>*L<sup>n</sup>,W表示晶体管的沟道宽度,L表示晶体管的沟道长度,m和n分别为设定的沟道宽度系数和沟道长度系数;将得到的斜率作为第三层一元二次函数的值,将所述第二偏置电压参数作为第三层一元二次函数变量,得到至少三个对应的一元二次函数的二次项系数、一次项系数和常系数的值;至少变换三个不同的温度,重复上述所有步骤;分别将得到的不同温度下相应的二次项系数、一次项系数和常数项作为第四层一元二次函数的值,将温度参数作为第四层一元二次函数变量,得到至少三个对应的一元二次函数的二次项系数、一次项系数和常数项的值;将上一步骤中得到的二次项系数、一次项系数和常数项的值代入相应的函数,并将所有函数以层层递进的方式代入上一层次的函数中,最后得到漏极电流差值百分比随场效应管的偏置电压参数、尺寸参数和温度参数变化的一元二次函数,作为衡量场效应管不匹配模型。
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