闪存装置和用于制造该闪存装置的方法

摘要

提供了一种闪存装置及其制造方法，具有保护浮栅和控制栅的侧壁以及防止源区的有源区凹陷的优点。该方法包括：在半导体衬底的有源区上形成隧道氧化物层；在隧道氧化物层上形成浮栅、栅绝缘层和控制栅；在浮栅和控制栅的侧部上形成绝缘侧壁间隔物；以及移除隧道氧化物层和装置隔离层中的至少部分以便暴露有源区。

主权项

1.一种用于制造闪存装置的方法，包括：在半导体衬底的有源区上形成隧道氧化物层，所述半导体衬底进一步包括其中具有装置隔离层的装置隔离区；在所述隧道氧化物层上形成浮栅、栅绝缘层和控制栅；在所述浮栅和所述控制栅的侧部上形成绝缘侧壁间隔物；在所述半导体衬底的整个表面之上形成光致抗蚀剂图案；通过使用所述光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模选择性地移除所述隧道氧化物层和所述装置隔离层的部分来暴露所述有源区的用于形成源区的预定部分；以及将杂质离子注入到所述源区中，其中，在选择性地移除所述隧道氧化物层和所述装置隔离层的部分之后，所述装置隔离层的一部分仅保留在所述绝缘侧壁间隔物下面。