半导体装置用部件及其制造方法

摘要

本发明提供一种低价的半导体装置用部件及其制造方法，该半导体装置用部件可以在表面上形成高品质镀层。半导体装置用部件的热膨胀系数为6.5×10^-6/K～15×10^-6/K，100℃下的热传导率≥180W/(m·K)，其具有：基材，其由原材料为粉末材料的Al-SiC复合材料构成，该Al-SiC复合材料是将颗粒状的SiC分散在铝或铝合金中而成，SiC的含量为30～85质量％；以及表面层，其与基材的上下表面接合，其含有在从熔融状态凝固后预先进行了轧制加工的铝或铝合金板。形成方式为：在表面层的铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tm℃的情况下，对由表面层和基材构成的成型体加热至大于或等于Tm-100℃而小于Tm℃的温度并进行压缩，或者将该成型体加热至大于或等于Tm-300℃而小于Tm℃的温度，进行轧制。

主权项

1.一种半导体装置用部件(1)，其热膨胀系数大于或等于6.5×10-6/K而小于或等于15×10-6/K，温度100℃下的热传导率大于或等于180W·m-1·K-1，其具有：基材(11)，其由原材料为粉末材料的铝-碳化硅复合材料构成，该铝-碳化硅复合材料是将颗粒状的碳化硅分散在铝或铝合金中而成，其碳化硅的含量大于或等于30质量％而小于或等于85质量％，并且该基材(11)具有一侧表面、和该一侧表面相反侧的另一侧表面；以及表面层(12)，其与所述基材(11)的一侧表面和另一侧表面接合，其含有在从熔融状态凝固后预先进行了轧制加工的铝或铝合金板，所述半导体装置用部件的形成方式为，在该表面层所含有的铝或铝合金板的熔点或固相线温度为Tm℃的情况下，对由所述表面层和所述基材构成的成型体加热至大于或等于Tm-100℃而小于Tm℃的温度并进行压缩，或者将该成型体加热至大于或等于Tm-300℃而小于Tm℃的温度，进行轧制。