| 发明名称 | 半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：步骤A，提供衬底，该衬底包含在其中形成的隔离区；步骤B，在该衬底及部分的隔离区上形成介电层，该介电层具有第一厚度，该介电层是由氮化硅材料所形成；步骤C，除去该介电层；以及步骤D，重复步骤B至步骤C两次或更多次。与现有技术相比，本发明能使得衬底的预定区域中的介电层具有更大的厚度，从而减少或消除与寄生晶体管、击穿干扰及漏电路径相关的问题。 | ||
| 申请公布号 | CN100590841C | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200710153182.6 | 申请日期 | 2007.09.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 王驭熊;朱文定;陈恒毅;金显维 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 晨 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置的制造方法，包括下列步骤：提供衬底，该衬底包含在其中形成的隔离区；进行多次步骤，各次步骤包括：在该衬底及部分所述隔离区上形成牺牲层，该牺牲层具有第一厚度，该牺牲层是由氮化硅材料所形成；以及除去该牺牲层。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||