| 主权项 |
1、一种晶片的单片式蚀刻装置，是一边使将半导体坯料切片而得到的薄圆板状的晶片(11)旋转、一边向上述晶片的上表面(11a)供给蚀刻液(15)而对上述晶片的上表面及边缘面进行蚀刻的单片式蚀刻装置(10)，其特征在于，具备：第1喷嘴(14)，对置于上述晶片的上表面(11a)而设置并一边在上述晶片的上表面(11a)的中心和晶片的周缘之间移动、一边向上述晶片(11)的上表面(11a)供给蚀刻液(15)；第2喷嘴(16)，对置于上述晶片的边缘面而设置并向上述晶片(11)的边缘面(11b)供给蚀刻液(15)；和下表面喷吹机构(17)，通过气体的喷射将沿着晶片(11)的边缘面流下的蚀刻液(15)向上述晶片的径向外侧吹飞；通过从上述第2喷嘴(16)以0.1～3升/分的一定流量向边缘面(11b)喷射蚀刻液，实现蚀刻液(15)相对于上述晶片(11)的边缘面(11b)的均匀迂回；上述下表面喷吹机构(17)具有：环状的喷射口(17a)，设置在从晶片外周端朝向晶片径向内侧0～10mm的范围内并面向晶片(11)的边缘面(11b)附近的下表面；环状的喷射槽(17b)，上端与上述喷射口(17a)连通，并且直径随着朝向下方而逐渐减小；和气体供给机构，与上述喷射槽(17b)连通，通过该喷射槽向上述喷射口(17a)供给压缩的气体。 |
