| 发明名称 | 氧化铈研磨剂以及基板的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种能够在不划伤SiO<sub>2</sub>绝缘膜等被研磨面的高研磨速度下进行研磨的氧化铈研磨剂。本发明的研磨剂含有把氧化铈颗粒分散于介质中的浆料，其中该氧化铈颗粒的初级颗粒粒径为10～600纳米，初级颗粒粒径值为30～250纳米，颗粒粒径值为150～600纳米，颗粒最大粒径在3000纳米以下。 | ||
| 申请公布号 | CN101649182A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200810184455.8 | 申请日期 | 1997.09.30 |
| 申请人 | 日立化成工业株式会社 | 发明人 | 吉田诚人;芦泽寅之助;寺崎裕树;仓田靖;松泽纯;丹野清仁;大槻裕人 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 | 代理人 | 雒纯丹 |
| 主权项 | 1.一种氧化铈颗粒，其特征在于，用于化学机械研磨，该氧化铈颗粒为由多个初级颗粒构成的多晶颗粒，所述初级颗粒通过粉末X射线Rietvelt法(RIETAN-94)测定的表示各向同性的微小形变的结构参数Y值为0.01-0.70。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||