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发明名称
一种制备纳米带的新方法
摘要
一种通过纳米线后续高温热处理制备纳米带的新方法,其包括以下具体步骤:(1)将原料纳米线置于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚中;(2)使用气氛烧结炉对置于坩锅中的原料在N<sub>2</sub>气氛保护环境下于1450~1600℃进行热处理;(3)热处理保温10~120min;(4)随炉冷却至室温。本发明可以获得高纯度的纳米带状结构,设备和工艺简单。从原理上讲,本发明是通过纳米结构热力学稳定性的控制来实现纳米带的制备,有望成为制备纳米带的一种普适方法。
申请公布号
CN101648697A
申请公布日期
2010.02.17
申请号
CN200910160765.0
申请日期
2009.07.17
申请人
宁波工程学院;清华大学;安立楠
发明人
杨为佑;谢志鹏;王华涛;安立楠
分类号
B82B3/00(2006.01)I
主分类号
B82B3/00(2006.01)I
代理机构
代理人
主权项
1、一种制备纳米带的新方法,其包括以下具体步骤:1)将原料Si3N4纳米线置于Al2O3坩埚中;2)使用气氛烧结炉对纳米线在N2气氛保护环境下于1450~1600℃进行热处理;3)热处理保温10~120min;4)炉冷至室温。
地址
315016浙江省宁波市海曙区文化路后河巷20号
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