发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;电熔丝,其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线,在电熔丝的切断状态下,形成构成电熔丝的导电材料的流出部分;以及热扩散部,其包括热扩散布线,该热扩散布线形成在与上层布线和下层布线中之一相同的层中,并且布置在上层布线和下层布线中的所述之一的一侧上,热扩散部电连接到上层布线和下层布线中的所述之一上。 |
申请公布号 |
CN101651127A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200910166063.3 |
申请日期 |
2009.08.11 |
申请人 |
恩益禧电子股份有限公司 |
发明人 |
高冈洋道;窪田吉孝;津田浩嗣 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
孙志湧;穆德骏 |
主权项 |
1.一种半导体器件,包括:衬底;电熔丝,所述电熔丝包括形成在所述衬底上的下层布线、提供在所述下层布线上并连接到所述下层布线的第一通路、以及提供在所述第一通路上并连接到所述第一通路的上层布线,在所述电熔丝的切断状态下,构成所述电熔丝的导电材料形成一流出部分;以及热扩散部,所述热扩散部包括热扩散布线,所述热扩散布线形成在与所述上层布线和所述下层布线之中的一个布线相同的层中,并且该热扩散布线布置在所述上层布线和所述下层布线之中的该一个布线的一侧上,所述热扩散部电连接于所述上层布线和所述下层布线之中的所述一个布线。 |
地址 |
日本神奈川 |