发明名称 Deep trench isolation structures in integrated semiconductor devices
摘要
申请公布号 EP2009686(B1) 申请公布日期 2010.02.17
申请号 EP20070012746 申请日期 2007.06.29
申请人 SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC 发明人 BAUWENS, FILIP;BAELE, JORIS;MOENS, PETER
分类号 H01L21/762;H01L21/761;H01L21/763 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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