| 发明名称 | 磁阻传感器 | ||
| 摘要 | 一种高性能集成AMR传感器，其具有用于对传感器输出进行信号调节的补偿和反位线圈。至少一个线圈被形成在层叠板中，该层叠板在一个封装内将AMR传感器与其IC连接起来。结果可将AMR传感器的模区域尺寸和封装大小保持得很小。 | ||
| 申请公布号 | CN101652671A | 申请公布日期 | 2010.02.17 |
| 申请号 | CN200880010791.9 | 申请日期 | 2008.03.11 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | 汉斯·贝维;斯蒂芬·扬森;特尼斯·让·伊金克;哈里斯·迪里克 |
| 分类号 | G01R33/09(2006.01)I;G01R15/20(2006.01)I;H01L43/08(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人 | 陈 源;张天舒 |
| 主权项 | 1.一种电路(100；200；300)，其包括磁阻传感器，其中：该磁阻传感器具有形成在第一基板(102)中的磁阻层；第一基板安装在第二基板(104)上；磁阻传感器具有用于在磁阻层产生磁场的导电元件(106)，从而借助通过导电元件的电流来控制磁阻传感器；并且导电元件形成在第二基板中。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||