| 发明名称 |
一种定向生长SiC单晶纳米线阵列的方法 |
| 摘要 |
一种定向生长单晶SiC纳米线阵列的新方法，其包括以下具体步骤：(1)聚合物前驱体于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；(2)SiC单晶片在0.1～0.2mol/LFe(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>或Co(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>乙醇溶液中浸渍5～10s，取出后自然晾干；(3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的SiC基片置于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚中；(4)将Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1350～1550℃范围内进行高温热解，保温5～120min；(5)随炉冷却至室温。与现有采用模板法定向生长SiC纳米结构不同，这种新方法通过SiC单晶片晶格诱导单晶SiC纳米结构大面积定向生长，并可免除后续去除和分离模板的困难和问题。 |
| 申请公布号 |
CN101649491A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
| 申请号 |
CN200910160766.5 |
申请日期 |
2009.07.17 |
| 申请人 |
宁波工程学院;清华大学;安立楠 |
发明人 |
杨为佑;谢志鹏;王华涛;安立楠 |
| 分类号 |
C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C01B31/36(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
1、一种定向生长SiC单晶纳米线阵列的新方法，其包括以下具体步骤：1)聚合物前驱体在气氛烧结炉中于260℃保温30min热交联固化，然后球磨粉碎；2)SiC单晶片在0.1～0.2mol/L Fe(NO3)3或Co(NO3)2乙醇溶液中浸渍5～10s；3)将粉碎得到的粉末和浸渍处理的SiC基片置于Al2O3坩埚中；4)将Al2O3坩埚置于气氛烧结炉中，在Ar气氛保护下于1300～1600℃进行高温热解，保温5～120min；5)随炉冷却至室温。 |
| 地址 |
315016浙江省宁波市海曙区文化路后河巷20号 |
