发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体器件,所述半导体器件包括半导体层,该半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层。所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)~公式(4),或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)~公式(8):1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>≤N1≤1×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup> …(1)N1>N2 …(2)D1>D2 …(3)Ec1<Ec3<Ec2 …(4)1×10<sup>17</sup>cm<sup>-3</sup>≤N4≤10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup> …(5)N3<N4 …(6)D3<D4 …(7)Ev1<Ev3<Ev2 …(8)在本发明的半导体器件中,通过将n型熔覆层或者p型熔覆层分成两层,因而能够将载流子传导、载流子限制、对Type II发光的抑制和光限制的全部特性设为适于所述n型熔覆层和所述p型熔覆层的值。 |
申请公布号 |
CN101651288A |
申请公布日期 |
2010.02.17 |
申请号 |
CN200910163685.0 |
申请日期 |
2009.08.10 |
申请人 |
株式会社日立制作所;学校法人上智学院;索尼株式会社 |
发明人 |
岸野克巳;野村一郎;玉村好司;田才邦彦;朝妻庸纪;中岛博;中村均;藤崎寿美子;纪川健 |
分类号 |
H01S5/327(2006.01)I;H01S5/347(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I |
主分类号 |
H01S5/327(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 |
代理人 |
陈桂香;武玉琴 |
主权项 |
1.一种半导体器件,其包括半导体层,所述半导体层在InP基板上依次包括n型第一熔覆层、n型第二熔覆层、活性层、p型第一熔覆层和p型第二熔覆层,其中,所述n型第一熔覆层和所述n型第二熔覆层满足下面的公式(1)~公式(4),或者所述p型第一熔覆层和所述p型第二熔覆层满足下面的公式(5)~公式(8),1×1017cm-3≤N1≤1×1020cm-3 ...(1)N1>N2 ...(2)D1>D2 ...(3)Ec1<Ec3<Ec2 ...(4)1×1017cm-3≤N4≤1020cm-3 ...(5)N3<N4 ...(6)D3<D4 ...(7)Ev1<Ev3<Ev2 ...(8)上述公式中,N1是所述n型第一熔覆层的n型载流子浓度,N2是所述n型第二熔覆层的n型载流子浓度,D1是所述n型第一熔覆层的层厚度,D2是所述n型第二熔覆层的层厚度,Ec1是所述n型第一熔覆层的导带底端或者导带次级底端,Ec2是所述n型第二熔覆层的导带底端或者导带次级底端,Ec3是所述活性层的导带底端或者导带次级底端,N3是所述p型第一熔覆层的p型载流子浓度,N4是所述p型第二熔覆层的p型载流子浓度,D3是所述p型第一熔覆层的层厚度,D4是所述p型第二熔覆层的层厚度,Ev1是所述p型第一熔覆层的价带顶端或者价带次级顶端,Ev2是所述p型第二熔覆层的价带顶端或者价带次级顶端,以及Ev3是所述活性层的价带顶端或者价带次级顶端。 |
地址 |
日本东京 |